真空蒸發鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優點是加熱源的結構簡單，造價低廉，操作方便;缺點是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源，但由于大功率激光器的造價很高，目前只能在少數研究性實驗室中使用。

 

　　濺射技術與真空蒸發技術有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面(靶)，使固體原子或分子從表面射出的現象。射出的粒子大多呈原子狀態，常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因為離子在電場下易于加速獲得所需要動能，因此大都采用離子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎上，即濺射離子都來源于氣體放電。不同的濺射技術所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電;三極濺射是利用熱陰極支持的輝光放電;射頻濺射是利用射頻輝光放電;磁控濺射是利用環狀磁場控制下的輝光放電。

 

　　濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有許多優點。如任何物質均可以濺射，尤其是高熔點，低蒸氣壓的元素和化合物;濺射膜與基板之間的附著性好;薄膜密度高;膜厚可控制和重復性好等。缺點是設備比較復雜，需要高壓裝置。

 

　　此外，將蒸發法與濺射法相結合，即為離子鍍。這種方法的優點是得到的膜與基板間有極強的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。